PN7136SAC-R1是一次具有三相獨立輸出的高壓、高速功率MOSFET和IGBT高低側驅動芯片。北浮地通道能工作在600V的高壓下,可用于驅動2個N型功率MOSFET或IGBT結構。該芯片邏輯輸入電平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL邏輯輸出電平。該芯片可以通過外部電流感應電阻傳送信號對六個輸出進行關斷，實現過流保護功能。使能端可以同時關斷六個輸出通道。FAULT端信號用于提示過流或者欠壓情況的發生，過流信號的自動清除時間可以通過外部可編程的RC延時網絡提供。輸出具有大電流脈沖能力。傳輸延時具有匹配性，以簡化在高頻下的應用。

PN7136SAC-R1特征:
高壓范圍達+600 V
3.3 V邏輯兼容
抗dV/dt能力士50V/ns
cc自舉工作的浮地通道
柵驅動電壓范圍10V~ 20V
高低側欠壓保護(UVLO) 功能
防直通邏輯
過流關斷所有通道
外部可編程的自動游除錯誤
信號時間獨立的三相驅動
抗-5V瞬態負Vs能力
高低側通道均延時匹配

PN7136SAC-R1應用:
電機驅動空調/洗衣機
通用逆變器
微小迷你逆變器驅動